- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/20 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H10B 43/20
Brevets de cette classe: 178
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 9847 |
45 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
26 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
24 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
18 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
11 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
9 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
9 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
8 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
6 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
2 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 3906 |
2 |
| Canon Inc. | 36841 |
1 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1043 |
1 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
1 |
| American Air Liquide, Inc. | 223 |
1 |
| Besang, Inc. | 17 |
1 |
| Teikyo University | 92 |
1 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 155 |
1 |
| Autres propriétaires | 6 |